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【2h】

Resistive switching properties of Ce and Mn co-doped BiFeO3 thin films for nonvolatile memory application

机译：用于非易失性存储器的Ce和mn共掺杂BiFeO3薄膜的电阻转换特性

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Zhenhua Tang; Jia Zeng; Ying Xiong; Minghua Tang; Dinglin Xu; Chuanpin Cheng; Yongguang Xiao; Yichun Zhou;
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年度 2013
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